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·下一代半导体系体例造焦点装备EXE:5200B乐成引入韩国利川M16厂，庆祝典礼在9月3日进行·相较在现有EUV装备，其周详度及集成度可别离晋升1.7倍及2.9倍，确保下一代半导体存储器的量产竞争力·车宣龙副社长：“将以开始进技能开发焦点财产所需的高端存储器，引领面向AI的存储器市场” 2025年9月3日，SK海力士公布，已经将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV*）引进韩国利川M16工场，并进行了装备入厂庆祝典礼。 当日进行的装备入厂庆祝典礼上，ASML韩国公司总司理金丙灿社长、SK海力士将来技能研究院长兼技能总管（CTO，Chief Technology Officer）车宣龙副社长、SK海力士制造技能担任李秉起副社长等带领配合出席，庆祝下一代DRAM出产装备的引进。 SK海力士暗示：“于全世界半导体市场竞争愈发激烈的配景下，公司已经乐成构建起快速研发并供给高端产物以满意客户需求的坚实基础。经由过程与互助伙伴的紧密亲密协作，公司将进一步晋升全世界半导体供给链的靠得住性及不变性。” 半导体系体例造公司为了晋升产物机能及出产效率，微细制程技能的优化显患上尤为主要。电路图案建造越周详，每一块晶圆上可出产的芯片数目就越多，同时也能有用提高能效与机能。 SK海力士自2021年初次于第四代10纳米级（1a）DRAM中引入EUV技能以来，连续将EUV运用扩大至进步前辈DRAM制造范畴。然而，为了满意将来半导体市场对于超微细化及高集成度的需求，引进逾越现有EUV的下一代技能装备必不成少。 这次引进的装备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV装备。与现有的EUV装备（NA 0.33）比拟，其光学机能（NA 0.55）晋升了40%，这一改良使其可以或许建造出周详度高达1.7倍的电路图案，并将集成度晋升2.9倍。 SK海力士规划经由过程引进该装备，简化现有的EUV工艺，并加速下一代半导体存储器的研发进程，从而确保于产物机能及成本方面的竞争力。此举有望巩固其于高附加值存储器市场中的职位地方，并进一步夯实技能带领力。 ASML韩国公司总司理金丙灿社长暗示：“High NA EUV是开启半导体财产将来的焦点技能。咱们将与SK海力士合作无懈，踊跃鞭策下一代半导体存储器技能的立异进程。” SK海力士将来技能研究院长兼技能总管（CTO，Chief Technology Officer）车宣龙副社长暗示：“经由过程这次装备引进，SK海力士为实现公司将来技能成长愿景奠基了焦点基础举措措施。公司将以开始进技能，为快速增加的AI及新一代计较市场开发所需高端存储器，引领面向AI的存储器市场。” * 高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV，High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography): 拥有比现有EUV更高数值孔径（NA**），可年夜幅晋升分辩率的下一代光刻机。可以或许绘制当前最微细的电路图案，估计将于缩小线宽及晋升集成度方面阐扬要害作用。 ** 数值孔径（NA，Numerical Aperture)：用来权衡透镜会聚光芒能力的数值。NA值越年夜，电路图案绘制的周详度越高。
