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7月30日，英诺赛科公布与结合汽车电子（简称：结合电子）公布建立结合试验室，使用GaN技能于尺寸、重量及效率方面的上风，开发进步前辈的新能源汽车电力电子体系。两边于结合电子（姑苏研发中央）进行了结合试验室开幕典礼。 新能源汽车行业正处在快速成长阶段，对于电力电子体系的机能要求日趋提高，而氮化镓器件的高功率密度、低导通电阻等特征刚好能满意这一需求。 据相识，英诺赛科是全世界领先的8英寸GaN-on-Si（硅基氮化镓）制造供给商，已经开发出业界机能最高、靠得住性最高的GaN工艺，氮化镓产物广泛运用在低压、中压及高压运用，电压规模涵盖15V至1200V，并拥有全世界最年夜的8英寸产能。 结合电子建立在1995年，是汽车电子范畴的全世界带领者，也是宽禁带功率器件运用范畴的技能带领者，已经开发出基在GaN的高功率密度车载充机电。结合电子拥有汽油策动机治理体系、变速箱节制体系、进步前辈网联及电力驱动体系四个营业板块，以和悬架节制、热治理体系、软件与办事、智能传感器等立异营业。 这次互助将充实使用各从容GaN范畴的上风，两边建立的结合试验室将聚焦新能源汽车的电源及动力体系，借助氮化镓技能，研发出更小体积、更轻量的产物，晋升新能源汽车的总体机能及续航能力，为新能源汽车财产的成长注入新的活气。
