5月9日,扬州扬杰电子科技株式会社(如下简称“扬杰科技”)公布其SiC车规级功率半导体模块封装项目正式动工。 该项目总投资10亿元人平易近币,聚焦车规级框架势、塑封式IGBT模块和SiC MOSFET模块品级三代半导体产物的研发与出产,旨于经由过程技能冲破实现入口替换,鞭策海内半导体财产自立可控成长。 据相识,扬杰科技 该项目占地62亩,总修建面积跨越11.2万平方米,将设置装备摆设现代化封装出产线和配套举措措施。项目周全达产后,估计形成年产7500万只高端功率模块的产能,年发卖额可达10亿元。技能层面,扬杰科技明确对于标国际标杆企业,方针将产物技能指标晋升至靠近国际领先程度,重点冲破车规级SiC MOSFET模块的靠得住性、耐高温和高效率等要害机能。 扬杰科技建立在2000年,是海内功率半导体范畴头部企业,公司主业务务笼罩功率半导体硅片、芯片和器件的全财产链环节,包括设计、制造、封装测试和终端发卖。其产物已经广泛运用在新能源汽车、光伏、储能、工业电源等范畴,特别于SiC碳化硅范畴形成技能堆集,已经推出650V至1200V全系列SiC SBD二极管和MOSFET产物。 此前三月尾,扬杰科技披露了其2024年度财政陈诉。陈诉显示,该公司2024年实现业务收入60.33亿元,同比增加11.53%;归属在上市公司股东的净利润10.02亿元,同比增加8.50%。于2024年度,扬杰科技收入、毛利率、净利润大要出现逐季改善走高的趋向。 财报中提到,扬杰科技连续增长对于第三代半导体芯片行业的投入,加年夜于以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产物的研发力度。其投资的SiC芯片工场于陈诉期内完成厂房装修、装备搬入及产物通线,采用IDM技能实现了多款SiC产物进级。公司于碳化硅特别是SiC MOS市场份额连续增长,当前各种产物已经广泛运用在AI办事器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等范畴。 此外,扬杰科技已经于扬州市邗江区结构6英寸碳化硅晶圆出产线,总投资10亿元,分两期设置装备摆设,全数投产后可形成5000片/月产能。同时,公司规划拓展8英寸SiC芯片出产线,并结合湖南楚微等企业推进6英寸SiC芯片量产,进一步强化第三代半导体范畴的综合实力。 作为扬州“613”财产系统中新一代信息技能集群的链主企业,扬杰科技此项目被视为扬州抢占新能源汽车焦点零部件赛道的要害举措。本地当局暗示将全力撑持项目设置装备摆设,经由过程专项政策、资金搀扶和高效审批流程保障工程进度,助力区域半导体财产链进级。