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美国斯坦福年夜学、卡内基梅隆年夜学、宾夕法尼亚年夜学和麻省理工学院工程师，与美国最年夜纯半导体代工场SkyWater Technology互助，研发新型多层单片3D计较芯片，标记人工智能硬件庞大冲破。该结果在第71届IEEE国际电子器件年会（IEDM 2025）发表。 据悉，这款芯片于硬件测试与仿真中，机能比传统2D芯片超出跨越近一个数目级（开端约4倍，将来多层设计最高12倍），特别于AI事情负载下体现凸起。其超薄组件垂直重叠如摩天年夜楼楼层，垂直布线如高速电梯，实现创纪录的垂直互连密度，交叉存储与计较单位，有用解决2D芯片“内存墙”瓶颈（内存稀少、传输路径有限）。 斯坦福年夜学Subhasish Mitra传授（论文重要作者）暗示，此立异开启芯片制造新时代，满意将来AI体系1000倍机能晋升的需求，为EDP（能量延迟积）晋升100-1000倍铺路，实现更高吞吐量与更低能耗。卡内基梅隆年夜学Tathagata Srimani传授增补，垂直集成年夜幅晋升数据传输速率；宾夕法尼亚年夜学Robert M. Radway传授夸大，慎密集成内存与逻辑可于更小空间实现更高机能。这是美国代工场初次制造具明确上风的单片3D芯片，奠基本土半导体立异蓝图。
