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小米公司于全世界半导体与电子器件范畴的顶级集会IEDM 2025上取患了主要成绩。小米开创人兼CEO雷军在12月14日公布，小米手机射频团队的论文乐成入选该集会，标记着氮化镓高电子迁徙率晶体管技能于挪动终端通讯范畴的汗青性冲破。这一结果获得了国际顶尖学术平台的高度承认。 IEDM集会自1955年开办以来，已经成为半导体及电子器件技能范畴最具权势巨子及影响力的论坛之一。于本届集会上，共有298篇论文入选，此中中国孝敬了101篇。小米与姑苏能讯高能半导体有限公司和中国香港科技年夜学互助的论文，初次报导了运用在挪动终真个高效率低压硅基氮化镓射频功率放年夜器，并于“GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices”分会场首个表态。 该论文的作者包括小米的张昊宸、孙跃、钱洪途、刘嘉男、刘水等人，研究团队由小米手机射频团队主导，项目卖力报酬孙跃博士。论文的标题问题为《First Integration of GaN Low-Voltage PA MMIC into Mobile Handsets with Superior Efficiency Over 50%》。 于当前5G向6G演进的要害阶段，手机射频前端器件面对着超高效率、超宽带、超薄化与小型化的多重技能挑战。作为射频发射链路的焦点组件，功率放年夜器的机能直接影响终端通讯体系的能效及旌旗灯号笼罩能力。传统的砷化镓（GaAs）功率放年夜器于已往的通讯体系中阐扬了主要作用，但跟着6G技能的慢慢清楚，其于功率附加效率及高温事情不变性等方面的物理限定日趋闪现，已经难以满意将来通讯的需求。 氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体质料，因其高临界击穿电场及优秀的热导机能，被视为冲破射频功放机能瓶颈的主要技能标的目的。然而，传统GaN器件凡是需于高压下事情，没法与手机的低压供电体系兼容。为此，研究团队聚焦在硅基氮化镓（GaN-on-Si）技能，经由过程电路设计与半导体工艺的协同立异，乐成开发出合用在手机低压运用的射频氮化镓高迁徙率电子晶体管（GaN HEMT）技能，并于手机平台上完成为了体系级机能验证。 该研究于降低射频损耗及优化欧姆接触方面取患了显著进展，终极实现了于10V事情电压下，功率附加效率跨越50%。这一结果不仅验证了低压硅基氮化镓射频技能的可行性，也展示了其于新一代高效挪动通讯终端中的巨年夜潜力。小米将继承深化与财产链的协同立异，鞭策该技能于挪动终端范畴的范围化商用进程。
